为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。

虽然距离HBM4投产还有两年的时间，不过SK海力士已经在加速推进第七代HBM产品的开发工作。据etnews报道，SK海力士HBM先进技术团队负责人KimKwi-wook在近日举行的“IMW2024”活动上分享了下一代HBM的发展方向，表示当前HBM技术已达到新的水平，同时代际更迭周期也在加快，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年。

行业对于高带宽存储器的高需求迫使SK海力士将HBM项目提速，预计首批12层堆叠的HBM4最快会在明年下半年到来，到2026年还会有16层堆叠的产品，不但会利用MR-MUF技术，同时还会往更为定制化的方向发展，而HBM4E最早会在2026年出现。这是SK海力士首次提及HBM4E，确认了新标准的存在，传闻带宽将是上一代产品的1.4倍。